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Modélisation multi-ports des transistors hyperfréquences – THESE DE DOCTORAT

    Modélisation multi-ports des transistors hyperfréquences
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    • Date de création 4 octobre 2023
    • Dernière mise à jour 4 octobre 2023

    La présente thèse de doctorat explore en profondeur les modèles de transistors utilisés dans la conception d'amplificateurs à faible bruit (LNA) pour les applications RF (Radio Fréquence). L'objectif principal de cette recherche est de développer une compréhension avancée des différents modèles de transistors et de leurs performances pour améliorer la conception des circuits RF. Cette étude examine également les méthodes d'épluchage avancées pour la caractérisation RF sous pointes d'un circuit MMIC, ce qui permettra une évaluation plus précise des performances à haute fréquence. De plus, la thèse se penche sur la modélisation électrique à trois accès d'un transistor, en analysant minutieusement ses caractéristiques essentielles. Enfin, elle aborde en détail la modélisation non linéaire distribuée du transistor à quatre accès, un aspect critique pour la conception de circuits RF de pointe. Cette recherche vise à contribuer de manière significative au domaine des composants RF et à offrir des perspectives nouvelles pour la conception de systèmes de communication sans fil et de traitement du signal de haute performance.

    Proposée par theses.hal.science sous licence Creative Commons


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