Le BD 135 est un transistor NPN en silicium construit en technologie plane épitaxiale. C’est un transistor de moyenne puissance fabriqué par STMicroelectronics et conçus pour être utilisé dans les montages des amplificateurs et les drivers audio avec des circuits complémentaires ou Quasi complémentaires. La tension VCE peut atteindre 45V et le courant de collecteur est de 1,5A maximum. La puissance maximale est de 1,25W. Pour un fonctionnement normale la température minimum est -65° par contre la température maximale ne doit pas dépasser 150°. Le gain à courant c.c (hFE min) = 40.

Boitier de Type SOT-32

Brochage et schéma interne du BD135

Caractéristiques techniques du BD135 et BD139